美光(Micron Technology Inc.)记忆体部门副总裁Brian Shirley在加州快闪记忆体论坛上接受专访时表示,DDR3短缺迫使OEM转向DDR2,目前看来DDR2供应也开始吃紧。
Shirley并表示,有关NAND型快闪记忆体(NAND Flash)制程微缩(Scaling)已达极限的说法过于夸张,该公司目前认为制程将可继续缩至不到20奈米。根据报导,美光、英特尔(Intel Corp.)已预定在09年底推出20奈米制程的NAND Flash。他并表示,新兴国家的NAND Flash市场仍持续成长当中。
科技市调机构Gartner分析师Joseph Unsworth也表示,NAND Flash价格、需求已开始改善。他指出,过去一周以来几乎所有容量的现货价格均呈现上扬,其中以8GB SLC款式涨势最惊人,而32GB MLC款式在7月底前呈现上扬后,过去一周的价格则略微下降
没有其他新闻
企业新闻